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KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
 

伯東離子源      精密薄膜控制

伯東離子源蝕刻均勻性

伯東離子源精密光學

伯東離子源MEMS,傳感器和顯示器

考夫曼離子源創始人 Dr.Harold R.Kaufman 簡介

1926 年在美國出生
1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,開始研發生產適合工業使用的霍爾離子源和考夫曼離子源

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列

霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源
發散光束 >45

KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列

離子源通過加熱燈絲產生離子束,低濃度高能量寬束型離子源
利用柵極控制離子束的濃度和方向, 離子束可選集中,平行,散設

KRI 考夫曼離子源 Gridded RFICP 系列

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長

霍爾離子源 eH 200

eH200 是霍爾離子源型eH 系列中尺寸最小,低成本設計離子源

霍爾離子源 eH 400

霍爾離子源型號

eH 400,eH400 LEHO

Discharge size @ source

~ 4 cm

霍爾離子源 eH 1000

霍爾離子源型號

eH1000,eH1000L,eH1000xO2,eH1000LEHO

Discharge size @ source

~ 5 cm

霍爾離子源 eH 2000

霍爾離子源型號

eH2000,eH2000L,eH2000xO2,eH2000LEHO

Discharge size @ source

~ 5 cm

考夫曼離子源 RFICP 40

目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內

考夫曼離子源 RFICP 100

 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計,適用于離子濺鍍和離子蝕刻.小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流

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