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霍爾離子源 eH 400
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霍爾離子源 eH 400

KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國原裝進口KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流,霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統,可以控制較低的離子能量, 適用于像塑膠鏡片等脆弱的材料和 III-V 族半導體材料 (III-V compound). 典型應用離子輔助沉積工藝. 原位預清洗和低能離子刻蝕工藝.

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

型號

eH 400 / eH 400 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

 - 離子源直徑

~ 4 cm

 - 陽極結構

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標準或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

3.0'

  - 直徑

3.7'

  - 加工材料

金屬
電介質
半導體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

6-30”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD

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