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考夫曼離子源 RFICP 40
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考夫曼離子源 RFICP 40

KRI 考夫曼離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用.標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性

KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 技術參數:

型號

RFICP 40 / RFICP 40FN

供電

RF 射頻感應耦合

 - 陰極燈絲

-

 - 射頻功率

0.6 KW

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用

 -柵極直徑

4 cm

中和器

LFN 2000

電源控制

RFICP 1510-2-06-LFNA

配置

-

 - 陰極中和器

LFN1000 or MHC1000 or RFN

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

5.0'

 - 直徑

5.3'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-18”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

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