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KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
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KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列

美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計,高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號滿足科研及工業、半導體應用。霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量減少離子轟擊損傷表面,寬束設計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區。整體易操作,易維護。霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源、電子中和器、電源供應器、流量控制器 (MFC)等等可以直接整合在各類真空設備中,例如鍍膜機,load lock、濺射系統、卷繞鍍膜機等。

美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性:
無柵極
高電流低能量
發散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode/Neutralize 中和器

美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用:
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如:
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH

霍爾離子源 eH 技術參數:

型號

eH200

eH400
eH400LE

eH1000
eH1000LE
eH1000LO

eH1000xO2 

eH2000
eH2000LE
eH2000HO    

eH3000
eH3000LO
eH3000MO

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

Cathode/Neutralizer 

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

HC

HC

HC

電壓

30-300V

50-300V

30-150V

50-300V

30-150V

50-300V

100-300V

50-300V

30-150V

50-250V

50-250V

50-300V

50-250V

電流

2A

5A

10A

10A

12A

5A

10A

10A

15A

15A

20A

10A

15A

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

1-15sccm

2-25sccm

2-50sccm

2-50sccm

2-75sccm

5-100sccm

高度

2.0“

3.0“

4.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直徑

2.5“

3.7“

5.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可選

可選

可選

可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

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